檢索結果：共13筆資料 檢索策略： "陳士勛".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="王朝正"
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高級氧化程序(Advanced Oxidation Processes, AOPs)近年來受到高度關注，予以光輔佐之電-芬頓系統通過電能與光激發產生活性極強的羥基自由基(Hydroxyl Radic…
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本研究以VNbMoTaW高熵合金靶材分別跟Al靶材和CrB2合金靶材進行共濺鍍，並將薄膜進行300、500、800 度一小時高溫氧化測試，探討鋁或鉻、硼元素增加對VNbMoTaW高熵合金薄膜的影響。…
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電極材料性質對電-芬頓系統處理效能產生顯著影響。本研究以成本低廉及良好導電性之低碳鋼(SPHC)電極，藉由電泳沉積(Electrophoretic Deposition, EPD)，進行製備SPHC…
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本研究使用高功率脈衝磁控濺射鍍膜系統，以Al4Cr2NbSiTi2高熵合金靶和TiB2靶在矽晶片與304、420不銹鋼表面鍍製六種不同雙層週期厚度的高熵合金氮化物多層薄膜，並使用場發射掃描電子顯微鏡…
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光電芬頓法是藉由光能及電能使系統反應時產生活性極強的氫氧自由基，進而對系統產生氧化還原反應操作之處理程序。而陰極電極對光電芬頓系統性能具相當之影響性，本研究使用具有良好加工性與高導電性能之SS316…
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電極材料種類與性質對光-電芬頓系統之運行效率有顯著影響。本研究選用純鈦金屬(Ti)作為電極基材，以陽極處理法建構二氧化鈦奈米管狀結構(TiO2 nanotube array, TNA)，再經退火處理…
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本研究分為兩個部分，第一部分以等原子比VNbMoTaW高熵合金靶材進行濺鍍，並於製程中控制不同氮氣通量，以製備不同氮含量之高熵合金薄膜；在第二部分使用Cr靶材與VNbMoTaW高熵合金靶共濺鍍，並改…
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本研究以Ti-6Al-4V(Ti64)為底材，於720 °C ~ 820 °C進行120秒到600秒的熱浸純鋁。結果顯示，Ti64於鋁湯中和鋁形成TiAl3，TiAl3層之厚度不隨熱浸溫度與時間而有…
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反射率及耗損率對於太陽反射板之聚光效果有極大相關性，進一步影響太陽能板之光電轉換效率。本研究以電化學拋光及陽極處理法製備具高反射率及高吸附性之陽極氧化鋁(Anodic Aluminum Oxide,…
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本研究使用實施覆銲(IN-52M)之異質銲接件(A508/IN-182/316L-308L緩衝層)浸泡於靜滯鹽水環境並添加腐蝕抑制劑。透過電化學儀器分析合金在環境之腐蝕特性，以及配合浸泡試驗之表面觀…